极致移动宽带（EMB）射频集成电路、波束赋形和天线技术

面向5G-Advanced、未来6G和卫星应用的收发器集成电路、波束赋形器、EMB频率合成器和相控阵天线。

TDD/FDD视图产品系列视图

Tricouni v1.1

EMB射频集成电路/波束赋形器

覆盖7–44 GHz的通用EMB收发器和波束赋形集成电路（低频段：7–24 GHz；高频段：24–44 GHz）。该系列支持双极化天线阵列和可配置的TDD/FDD工作方式，面向5G-Advanced、未来6G以及Ku/Ka频段卫星应用。

型号	功能	射频范围	中频频率	类别

EMB射频集成电路/波束赋形器

面向24–44 GHz应用的8通道双极化（4H/4V）波束赋形集成电路，提供射频到射频和射频到中频配置，并支持外部或集成本地振荡器。

EMB射频集成电路/波束赋形器

覆盖24–44 GHz的16通道双极化（8H/8V）波束赋形集成电路，提供射频到射频和射频到中频配置。

型号	功能	射频范围	中频频率	类别

PLL / LO

覆盖9.5–40.5 GHz的极致移动宽带（EMB）整数N型PLL和毫米波频率合成器。该系列为5G-Advanced、未来6G和卫星应用提供低相位噪声本地振荡器。

型号	功能	输出/调谐范围	外部参考	封装
SLT50002	宽带集成整数N型PLL和VCO	9.5–40.5 GHz	26 MHz；支持<1000 MHz	2.105 mm × 2.605 mm BGA
SLW5008	27.9–38.4 GHz整数N型频率合成器	27.9–38.4 GHz	52 MHz	裸片或封装形式

面向24–44 GHz 5G-Advanced和卫星应用的多极化相控阵天线系统。紧凑型、适用于倒装芯片的设计可扩展到多输入多输出和混合波束赋形架构。

型号	功能	类型	支持频段	工作带宽	增益	极化	阵元间耦合	辐射方向图
SLK1201	全频段、双极化2×2阵列	4阵元线性阵列，双极化	n257, n258, n259, n260, n261	24–44 GHz	最大实现增益：13.9 dBi	双极化		全频段稳定；宽角扫描
SLK2301	全频段、单极化2×4阵列	4阵元线性阵列，双极化	n257, n258, n259, n260, n261	24–44 GHz	最大实现增益：13.9 dBi	双极化		全频段稳定；宽角扫描
SLK3201	双频段、双极化2×2阵列	4阵元2×2阵列，双频段、双极化	n257, n260	26.5–29.5 GHz和37–40 GHz	低频段1–1.5 dBi；高频段约13.0 dBi	双极化	低于−15 dB
SLK3202	双频段、双极化2×2阵列	4阵元2×2阵列，双频段、双极化	n257, n260	26.5–29.5 GHz和37–40 GHz	低频段1–1.5 dBi；高频段约13.0 dBi	双极化	低于−15 dB
SLK3204	双频段、双极化4阵元线性阵列	4阵元线性阵列，双频段、双极化	n257, n260	26.5–29.5 GHz和37–40 GHz	低频段>10 dBi；高频段>12 dBi	双极化	低于−12 dB

请告诉我们您的应用需求，我们的团队将提供详细规格和供货信息。